氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是最具代表性的第三代半导体材料之一。GaN是现在能同期完好意思高频、高效、大功率的代表性器件，氮化镓射频器件主要诈欺于军用雷达、卫星通讯、5G 基站等方面。现在无线通讯基础措施是氮化镓射频器件的主要诈欺限度，占比达到 50%。 本文参议射频氮化镓晶体管（RF GaN Transistors）。GaN射频器件主要包括功率放大器PA、低噪声放大器LNA、射频开关switch、单片集成电路MMIC等。现在GaN射频器件主要由Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI)、Wolfspeed、Qorvo和NXP等几家企业主导。现在在射频限度，SiC基GaN仍然是主流，然而23年有了两项紧要弘扬，英飞凌推出了接收8寸硅基氮化镓的PA，用于电信基础措施。英特尔在IMS上发布paper中12寸硅基氮化镓与CMOS集奏凯率有相配优秀的射频特点。据路亿商场战略调研按产物类型：射频氮化镓晶体管细分为：氮化镓功率放大器PA、氮化镓低噪声放大器LNA、氮化镓射频开关Switch、氮化镓单片集成电路MMIC）按诈欺，本文重心温雅以下限度：电信措施、卫星通讯、军事、航空及防务、其他诈欺本文重心温雅环球畛域内射频氮化镓晶体管主要企业，包括： Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI) MACOM (OMMIC) Qorvo NXP Semiconductors Mitsubishi Electric RFHIC Corporation 英飞凌 Microchip Technology 东芝 Altum RF ReliaSat (Arralis) Skyworks SweGaN Analog Devices Inc Aethercomm Integra Technologies Mercury Systems 晶元光电 Ampleon 中电科13所 中电科55所 苏州能讯高能半导体有限公司 三安光电（三安集成） 优镓科技 深圳市泰高技能有限公司 Tagore Technology WAVICE Inc